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HAST高速老化壽命試驗(yàn)箱,半導(dǎo)體高加速溫濕度試驗(yàn)機(jī)使用規(guī)范
來源: | 作者:雋思半導(dǎo)體設(shè)備部 | 發(fā)布時間: 2015-10-17 | 1467 次瀏覽 | 分享到:
評估非氣密性封裝組件在無偏壓條件下抗潮濕能力,確認(rèn)其耐濕性、堅固性與加速腐蝕及加老化.

   大多數(shù)半導(dǎo)體器件的壽命在正常使用下可超過很多年。但我們不能等到若干年后再研究器件;我們必須增加施加的應(yīng)力。施加的應(yīng)力可增強(qiáng)或加快潛在的故障機(jī)制,幫助找出根本原因,并幫助 TI 采取措施防止故障模式。

   在半導(dǎo)體器件中,常見的一些加速因子為溫度、濕度、電壓和電流。在大多數(shù)情況下,加速測試不改變故障的物理特性,但會改變觀察時間。加速條件和正常使用條件之間的變化稱為“降額”。

HAST高速老化壽命試驗(yàn)箱,半導(dǎo)體高加速溫濕度試驗(yàn)機(jī)用途

   用于評估非氣密性封裝IC器件、金屬材料等在濕度環(huán)境下的可靠性。通過溫度、濕度、大氣壓力條件下應(yīng)用于加速濕氣的滲透,可通過外部保護(hù)材料(塑封料或封口),或在外部保護(hù)材料與金屬傳導(dǎo)材料之間界面。它采用了嚴(yán)格的溫度,濕度,大氣壓、電壓條件,該條件會加速水分滲透到材料內(nèi)部與金屬導(dǎo)體之間的電化學(xué)反應(yīng)。

HAST高速老化壽命試驗(yàn)箱,半導(dǎo)體高加速溫濕度試驗(yàn)機(jī)參照標(biāo)準(zhǔn)

JESD22-A118

JESD22-A110

      通常選擇HAST-96,即:130℃、85%RH、230KPa大氣壓,96hour測試時間。測試過程中,建議調(diào)試階段監(jiān)控芯片殼溫、功耗數(shù)據(jù)推算芯片結(jié)溫,要保證結(jié)溫不能過 高,并在測試過程中定期記錄。結(jié)溫推算方法參考《HTOL測試技術(shù)規(guī)范》




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